第一章化合物半导体材料行业发展概况 15

第一节 化合物半导体材料行业定义及分类 15

一、行业定义 15

二、行业主要产品分类 15

半导体材料可分为单质半导体材料及化合物半导体材料两类，单质半导体材料包括如硅（Si）、锗(Ge）等，化合物半导体材料包括砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等化合物。

图表 1：化合物衬底的功率半导体性能对比

资料来源：Yole，

考虑数据的可得性及材料应用的现状与前景，本报告中的化合物半导体材料主要选取第二代的砷化镓（GaAs）、第三代的氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）进行论述。

第二节 化合物半导体材料行业发展基本特征分析 16

一、行业周期性分析 16

二、行业区域性分析 16

三、行业季节性分析 16

四、行业经营模式分析 16

五、行业盈利性分析 17

六、行业竞争烈程度分析 17

七、行业成熟度分析 17

第二章化合物半导体材料行业全球市场发展分析 19

第一节 化合物半导体材料行业全球市场发展 19

一、行业发展现状分析 19

二、行业市场需求分析 19

三、行业市场格局分析 20

四、行业区域格局分析 21

第二节 化合物半导体材料行业主要地区市场发展 22

一、北美 22

二、欧洲 23

三、亚太 23

四、其他 24

第三章中国化合物半导体材料行业发展环境分析 25

第一节 化合物半导体材料行业政策环境分析 25

一、行业管理体制 25

二、行业主要政策法规 25

三、行业主要标准 28

五、政策环境对行业的影响分析 30

第二节 化合物半导体材料行业经济环境分析 30

一、行业经济环境 30

二、经济环境对行业的影响分析 33

第三节 化合物半导体材料行业技术环境分析 33

一、GaAs工艺技术及特点 33

二、GaN工艺技术及特点 36

三、SIC工艺技术及特点 38

——碳化硅晶体生长包括物理气相传输法、高温 CVD 法和液相法三种方法，综合生长条件控制、生长效率、缺陷控制等因素，物理气相传输法是技术成熟度最高、应用最广泛的方法，另外两种方法仍处于研究和试验阶段。CREE 公司、II-VI公司、SiCrystal 等国外主要碳化硅晶片生产企业均采用物理气相传输法。

图表 19：SiC衬底主要由PVT工艺生产

资料来源：CNKI，

碳化硅晶片制造包含晶体生长、切割、研磨、抛光等多个环节，其加工难度大，工艺技术门槛高；同时，碳化硅晶片逐步向大尺寸迭代，产品尺寸和参数的升级几何级地提高了加工难度，碳化硅晶片生产企业在掌握已有技术后需要持续研发以保持市场竞争力。因此，大尺寸、高品质晶片的制备能力可以有效反映其研发能力和核心技术水平。

——SiC衬底是SiC器件的主要成本。SiC器件价值链可分为衬底——外延——晶圆——器件，其中衬底所占的成本最高为40%-50%。主要原因单晶生长缓慢且品质不够稳定，并且这也使得SiC价格高，没有得到广泛的推广。随着技术不断迚步，产量逐渐攀升，未来SiC衬底以及外延片价格都将下降。

图表 20：SiC JBS成本构成

资料来源：CSA，

图表 21：SiC基带和外延片价格走势（元/c㎡）

资料来源：CSA，

——国内主要集中亍4寸、6寸SiC衬底生产，8寸衬底已有样品出货。

2015年SiC器件生产线已经逐步从4寸线转向6寸线。

国际上单极型的600V-1700V级4H-SiC JBS和MOSFET已实现商业化。

Cree在2019年宣布将建设8寸SiC产业线。

图表 22：SiC晶片丌断向大尺寸突破

资料来源：CREE，

——SiC衬底主要分为半导电型和半绝缘型。半导电型SiC衬底以n型衬底为主，主要用于外延GaN基LED等光电子器件、SiC基电力电子器件等，半绝缘型SiC衬底主要用于外延制造GaN高功率射频器件。

图表 23：SiC生产路线示意图

资料来源：CSA，

第四节 化合物半导体材料行业社会环境分析 42

一、行业社会环境 42

二、社会环境对行业的影响分析 44

第四章化合物半导体材料行业产业链分析 45

第一节 化合物半导体材料行业产业链 45

第二节 化合物半导体材料行业上游行业影响分析 50

一、上游行业发展现状及趋势预测 50

二、上游行业对本行业的影响分析 55

第三节 化合物半导体材料行业下游行业影响分析 55

一、下游行业发展现状及趋势预测 55

二、下游行业对本行业的影响分析 74

第五章中国化合物半导体材料行业发展现状及市场供需分析 75

第一节 化合物半导体材料行业发展现状分析 75

一、行业发展历程 75

二、行业现状特征 76

第二节 中国化合物半导体材料行业供给状况分析 79

一、行业产能分析 79

二、重点企业产能分析 80

三、行业产量增长分析 81

第三节 影响未来化合物半导体材料行业供给能力的主要因素分析 82

第四节 化合物半导体材料行业需求状况分析 82

一、行业需求增长分析 82

二、行业需求下游市场格局分析 82

三、行业需求区域市场格局分析 83

第五节 化合物半导体材料行业进出口分析 83

一、进口分析 83

二、出口分析 85

第五节 化合物半导体材料行业供需平衡分析 86

第六章中国化合物半导体材料行业经济运行指标分析 87

第一节 化合物半导体材料行业规模分析 87

一、企业数量增长分析 87

二、收入规模增长分析 88

三、资产规模增长分析 88

第二节 化合物半导体材料行业结构分析 89

一、企业数量结构分析 89

二、销售收入结构分析 90

第三节 化合物半导体材料行业成本费用分析 91

一、营业成本统计 91

二、成本费用结构统计 92

第四节化合物半导体材料行业盈利能力分析 92

一、主要盈利指标分析 92

二、主要盈利能力指标分析 93

第七章中国化合物半导体材料行业市场竞争格局分析 94

第一节 化合物半导体材料行业竞争态势分析 94

一、产品竞争分析 94

二、成本竞争分析 95

三、技术竞争分析 96

第二节 化合物半导体材料行业集中度分析 97

一、企业集中度分析 97

二、区域集中度分析 97

第三节 化合物半导体材料行业企业提升竞争力策略分析 97

第八章中国化合物半导体材料行业重点企业分析 99

第一节 中科晶电（GaAs） 99

一、企业概述 99

二、竞争优势分析 99

三、企业经营分析 99

四、发展动态分析 100

第二节 云南锗业（GaAs） 100

一、企业概述 100

二、竞争优势分析 101

三、企业经营分析 102

四、发展动态分析 103

第三节 有研新材（GaAs） 103

一、企业概述 103

二、竞争优势分析 104

三、企业经营分析 104

四、发展动态分析 105

第四节 北京通美（GaAs） 105

一、企业概述 105

二、竞争优势分析 105

三、企业经营分析 106

四、发展动态分析 107

第五节 天科合达（SIC） 108

一、企业概述 108

二、竞争优势分析 108

三、企业经营分析 110

四、发展动态分析 111

第六节 山东天岳（SIC） 112

一、企业概述 112

二、竞争优势分析 112

三、企业经营分析 112

四、发展动态分析 113

第七节 世纪金光（SIC） 114

一、企业概述 114

二、竞争优势分析 114

三、企业经营分析 115

四、发展动态分析 115

第八节 中镓半导体（GaN） 115

一、企业概述 115

二、竞争优势分析 116

三、企业经营分析 117

四、发展动态分析 117

第九节 纳维科技（GaN） 117

一、企业概述 117

二、竞争优势分析 118

三、企业经营分析 118

四、发展动态分析 119

第十节 中晶半导体（GaN） 119

一、企业概述 119

二、竞争优势分析 119

三、企业经营分析 119

四、发展动态分析 120

第九章中国化合物半导体材料行业趋势预测分析 121

第一节 化合物半导体材料行业发展趋势分析 121

一、行业产品趋势 121

二、行业技术趋势 121

三、行业开发趋势 122

四、行业竞争格局趋势 122

第二节 化合物半导体材料行业供需预测分析 123

一、行业产能预测 123

二、行业需求预测 128

三、行业进出口预测 129

第十章中国化合物半导体材料行业投资机会与风险分析 130

第一节 化合物半导体材料行业投资机会分析 130

一、半导体行业发展前景 130

二、半导体材料发展前景 132

三、化合物半导体材料发展前景 133

四、GaAS 135

五、GaN 135

六、SiC 136

第二节 化合物半导体材料行业投资风险分析 136

一、市场竞争风险 136

二、市场需求风险分析 137

三、技术风险分析 137

四、政策和体制风险 138

五、经济波动风险 138

第三节 投资建议 138