2026年全球二元掩模销售额稳健增至27亿美元 “现金牛”赛道属性凸显[图]

2026-07-31 09:35

共研产业研究院通过对公开信息分析、业内资深人士和相关企业高管的深度访谈，以及分析师专业性判断和评价撰写了《2026-2032年全球与中国二元掩模(双极型掩模)行业深度调查与市场调查预测报告》。本报告为二元掩模企业决策人及投资者提供了重要参考依据。

1950333共研产业研究院通过对公开信息分析、业内资深人士和相关企业高管的深度访谈，以及分析师专业性判断和评价撰写了《2026-2032年全球与中国二元掩模(双极型掩模)行业深度调查与市场调查预测报告》。本报告为二元掩模企业决策人及投资者提供了重要参考依据。

为确保二元掩模行业数据精准性以及内容的可参考价值，共研产业研究院团队通过上市公司年报、厂家调研、经销商座谈、专家验证等多渠道开展数据采集工作，并运用共研自主建立的产业分析模型，结合市场、行业和厂商进行深度剖析，能够反映当前市场现状、热点、动态及未来趋势，使从业者能够从多种维度、多个侧面综合了解当前二元掩模行业的发展态势。

为确保二元掩模行业数据精准性以及内容的可参考价值，共研产业研究院团队通过上市公司年报、厂家调研、经销商座谈、专家验证等多渠道开展数据采集工作，并运用共研自主建立的产业分析模型，结合市场、行业和厂商进行深度剖析，能够反映当前市场现状、热点、动态及未来趋势，使从业者能够从多种维度、多个侧面综合了解当前二元掩模行业的发展态势。

根据共研网（北京迪索共研咨询有限公司）的统计及预测，2025年全球二元掩模市场销售额约26亿美元，2026年预计销售金额27亿美元，2026-2032年复合增长率（CAGR）约4.5%，2032年将达到36亿美元。销售区域来看，亚太地区是无可争议的核心市场，北美和欧洲则是重要的成熟市场。

二元掩模定义及分类

二元掩模（Binary Mask）是一种由“完全透光”和“完全不透光”两种区域构成的光掩模版，通过光线“通”与“断”的二值化方式，将芯片设计图形转移到晶圆上。它是光刻工艺中最基础、应用最广泛的一类掩模，目前在全球光掩模市场中仍占据最大份额。按基板材料，可分为石英掩模版、苏打玻璃掩模版、金属薄膜掩模版。二元掩模凭借其结构简单、工艺成熟、成本可控的优势，至今仍在全球半导体产线中承担着举足轻重的量产任务，是芯片制造业的“基石”之一。

全球主要二元掩模供应商简介

企业名称	总部/主要运营地	企业简介
Photronics（丰创）	美国	全球最大的独立光掩模制造商，产品覆盖从成熟到前沿的各类掩模。其成熟的二元掩模解决方案可稳定支持180nm及以上的工艺，先进的含OPC（光学邻近效应矫正）二元掩模则可支持14nm至28nm的生产节点。在全球拥有11个制造基地，可提供本地化服务。
Tekscend Photomask	日本	前身为Toppan（凸版印刷）的光掩模部门，于2024年11月更名，与Photronics、DNP并列为全球三大外销光掩模企业。该公司技术实力雄厚，已从2023年起向IBM供应2nm制程的光掩模，并计划在2027年前后实现2nm光掩模的量产。
DNP（大日本印刷）	日本	全球三大外销光掩模巨头之一，在高端光掩模领域与Photronics、Tekscend齐名。已成功绘制支持2nm及以下EUV工艺的精细光掩模图案，并计划在2027财年实现量产，主要面向日本Rapidus公司的2nm产线。产品覆盖从28nm等传统制程到EUV最尖端制程。
路维光电	中国	中国本土二元掩模的龙头企业之一，技术已突破至90-28nm制程节点，成功进入中芯国际、京东方等头部客户的供应链，是国产替代的主力军。
清溢光电	中国	与路维光电并列为中国二元掩模市场的本土核心力量，同样在90-28nm成熟制程领域实现突破，产品广泛应用于半导体及平板显示领域。
龙图光罩	中国	中国本土快速崛起的掩模制造商之一，聚焦于90-28nm成熟制程的二元掩模，在模拟芯片、功率器件等领域推进国产化替代。
无锡中微掩模电子	中国	成立于2007年，是国内集成电路掩模制造商。其产品线中明确包含二元掩模及相移掩模，并提供修补、清洗等配套服务，服务于国内半导体产业链。

资料来源：共研产业咨询整理

二元掩模应用场景分析

二元掩模的应用场景高度集中在半导体集成电路制造和平板显示制造两大支柱领域，同时也拓展至MEMS、光子器件等新兴方向。在核心应用场景，作为光刻工艺中最基础、应用最广泛的掩模版，二元掩模是连接芯片设计与量产制造的关键载体。其应用结构与成本优势显著，尤其在130nm及以上成熟制程中，凭借成本仅为相移掩模的1/3至1/2、交期高效可控等特性，扮演着不可或缺的角色。在新兴与拓展应用，在特定技术领域有巧妙应用。例如，利用多重二元掩模结合移动曝光技术，可低成本制作大深度连续浮雕微透镜阵列；也可通过序列二元掩模控制薄膜沉积或刻蚀厚度，从而制备出不同发射波长的垂直腔面发射激光器（VCSEL）阵列。