以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AIN）为代表的宽禁带半导体材料，被称为第三代半导体材料。
与传统材料相比，第三代半导体材料更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件，因此，其为基础制成的第三代半导体具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的导热率，以及更强的抗辐射能力等诸多优势，在高温、高频、强辐射等环境下被广泛应用。
第三代半导体特性
资料来源：共研产业咨询（共研网）
第三代半导体具有禁带宽度更宽、电子漂移饱和速率更高、绝缘击穿场强更高、热导率更高等特点，适用于高温、高频、高压、高功率器件，应用于通信基站、消费电子、智能电网、光伏逆变器、高铁、新能源汽车、工业电机等多个领域。基于新一代信息技术应用与融合的新型基础设施建设将极大带动第三代半导体材料及器件应用和产业发展，具有广阔的发展前景。
第三代半导体主要包括碳化硅（SiC）、氮化铝（AlN）、氮化镓（GaN）、金刚石、氧化锌（ZnO），其中，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）并称为第三代半导体材料的“双雄”，是第三代半导体材料的典型代表。
第三代半导体行业典型代表应用领域分析
资料来源：共研产业咨询（共研网）
2022年第三代半导体行业产量从2017年的0.12亿个增长到了2.66亿个，第三代半导体需求量从2017年的2.71亿个增长至28.16亿个，预计2023年中国第三代半导体行业产量、需求量分别为4.74亿个、38.91亿个。
2017-2023年中国第三代半导体行业产销量情况
资料来源：共研产业咨询（共研网）
2017年中国第三代半导体行业市场规模13.56亿元，均价为5.01元/个；到2022年第三代半导体行业规模达到了111.79亿元，均价为3.97元/个；预计2023年第三代半导体行业规模达到152.15亿元，均价为3.91元/个。
2017-2023年中国第三代半导体行业总体规模及市场单价情况
资料来源：共研产业咨询（共研网）
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共研产业咨询 - 深度报告
2023-2029年中国第三代半导体市场深度调查与未来发展趋势报告
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