磁阻传感器是基于磁阻效应原理，又可分为AMR（各向异性磁电阻效应）/GMR（巨磁阻效应）/TMR（隧道巨磁电阻效应），隧道磁电阻效应的产生机理是自旋相关的隧穿效应。交换偏置作用的自旋阀结构的MTJ是一种典型的三明治结构，包括由铁磁层(被钉扎层)和反铁磁层组成的钉扎层、隧道势垒层以及铁磁层组成的自由层。
TMR传感器，具有超高灵敏度、宽动态范围、低功耗、优越的温度稳定性、极低的磁滞、宽工作电压范围、极低的本底噪声以及高频率响应等诸多优点。2022年中国TMR传感器产量约1286.3万个。
2016-2022年中国TMR传感器产量
资料来源：共研产业咨询（共研网）
TMR磁传感器芯片利用磁性多层膜材料的隧道磁电阻效应对磁场进行感应，具有更大的电阻变化率，温度稳定性更高，灵敏度更高，而功耗远低于其他类型的芯片，2022年TMR传感器需求量3974.1万个。
2016-2022年中国TMR传感器需求量
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隧道磁电阻传感器具有灵敏度高、精度高、线性范围宽等诸多优点，其关键性能已远超传统磁传感器。在电磁无损检测领域，TMR传感器还会有更多可用之处，相信TMR传感器将极大地推动无损检测领域向高精化、高效化方向发展。
2016-2022年中国TMR传感器市场规模
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共研产业咨询 - 深度报告
2023-2029年中国TMR传感器行业调查与市场需求预测报告
2023-2029年中国TMR传感器行业调查与市场需求预测报告
2023-2029年中国TMR传感器行业调查与市场需求预测报告，首先介绍了TMR传感器行业市场发展环境、TMR传感器整体运行态势等，接着分析了TMR传感器行业市场运行的现状，然后介绍了TMR传感器市场竞争格局。
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