2022年中国碳化硅（SiC）功率半导体行业特点及行业市场规模分析[图]

碳化硅（SiC）是第三代宽禁带半导体材料的代表之一，具有禁带宽度大、热导率高和击穿电场高等性质，特别适用于高压、大功率半导体功率器件领域。SiC器件包括二极管、晶体管和功率模块。

SiC功率器件分类

资料来源：共研网整理

碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大地提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，对高效能源转换领域产生重大而深远的影响，主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。

碳化硅功率器件应用领域

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目前，SiCSBD二极管和MOSFET晶体管目前应用最广泛、产业化成熟度最高，SiCIGBT和GTO等器件由于技术难度更大，仍处于研发阶段，距离产业化有较大的差距。随着国际上碳化硅功率器件技术的进步和制造工艺从4英寸升级到6英寸，器件产业化水平不断提高，碳化硅功率器件的成本迅速下降，碳化硅功率器件的市场规模持续扩大。2021年我国碳化硅半导体市场规模达到17.13亿元。

2015-2022年中国SiC功率半导体市场规模

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